Name: GAN080-650EBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN080-650EBEZTR-ND
Price: 8.016 EUR
Availability: InStock

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GAN080-650EBEZ
DigiKey-Teilenr.	1727-GAN080-650EBEZTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-GAN080-650EBEZCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-GAN080-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	GAN080-650EBEZ
Beschreibung	650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 29 A (Tc) 240W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke DFN8080-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	29 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	80mOhm bei 8A, 6V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 30,7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6.2 nC @ 6 V
Vgs (Max.)	+7V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	225 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	240W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten	DFN8080-8
Gehäuse / Hülle	8-VDFN mit freiliegendem Pad
Basis-Produktnummer	GAN080