Name: SCTL35N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL35N65G2VTR-ND
Price: 17.496 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCTL35N65G2V
DigiKey-Teilenr.	497-SCTL35N65G2VTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-SCTL35N65G2VCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-SCTL35N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCTL35N65G2V
Beschreibung	TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 40 A (Tc) 417W (Tc) Oberflächenmontage PowerFlat™ (8x8) HV
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SCTL35N65G2V Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 73 nC @ 20 V
Herst. STMicroelectronics	Vgs (Max.) +22V, -10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1370 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 417W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerFlat™ (8x8) HV
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 40 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 4-PowerVDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 67mOhm bei 20A, 20V	Basis-Produktnummer SCTL35
Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 1mA