Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL90N65G2VTR-ND
Price: 30.228 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCTL90N65G2V
DigiKey-Teilenr.	497-SCTL90N65G2VTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-SCTL90N65G2VCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCTL90N65G2V
Beschreibung	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 40 A (Tc) 935W (Tc) Oberflächenmontage PowerFlat™ (8x8) HV
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SCTL90N65G2V Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	24mOhm bei 40A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3380 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	935W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerFlat™ (8x8) HV
Gehäuse / Hülle	4-PowerVDFN