Name: GP2T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP2T080A120H-ND
Price: 7.944 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 35 A (Tc) 188W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GP2T080A120H
DigiKey-Teilenr.	1560-GP2T080A120H-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GP2T080A120H
Beschreibung	SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 35 A (Tc) 188W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SemiQ
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	35 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	100mOhm bei 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	61 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1377 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	188W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4
Basis-Produktnummer	GP2T080A

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30	€ 3,82833	€ 114,85
120	€ 3,21558	€ 385,87
510	€ 2,79622	€ 1.426,07

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