Name: GP2T080A120U
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP2T080A120U-ND
Price: 7.872 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 35 A (Tc) 188W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3

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GP2T080A120U
DigiKey-Teilenr.	1560-GP2T080A120U-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GP2T080A120U
Beschreibung	SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 35 A (Tc) 188W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 10mA
Herst. SemiQ	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 58 nC @ 20 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +25V, -10V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1377 pF @ 1000 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 188W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 35 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 100mOhm bei 20A, 20V	Basis-Produktnummer GP2T080A

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30	€ 3,77567	€ 113,27
120	€ 3,16367	€ 379,64
510	€ 2,71533	€ 1.384,82
1 020	€ 2,55179	€ 2.602,83
2 010	€ 2,53908	€ 5.103,55

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