Name: GCMX016C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX016C120S1-E1-ND
Price: 29.724 EUR
Availability: InStock

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N-Kanal 1200 V 103 A (Tc) 303W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227

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GCMX016C120S1-E1
DigiKey-Teilenr.	1560-GCMX016C120S1-E1-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GCMX016C120S1-E1
Beschreibung	GEN3 1200V 16M SIC MOSFET MODULE
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 103 A (Tc) 303W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 23mOhm bei 50A, 18V
Herst. SemiQ	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 20mA
Serie QSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 248 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +22V, -8V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6822 pF @ 1000 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 303W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Chassisbefestigung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 103 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC

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10	€ 18,06400	€ 180,64
100	€ 14,29120	€ 1.429,12
500	€ 14,21458	€ 7.107,29

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