Name: GCMS008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMS008C120S1-E1-ND
Price: 45.924 EUR
Availability: InStock

Neu bei DigiKey

N-Kanal 1200 V 189A (Tc) 536W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GCMS008C120S1-E1
DigiKey-Teilenr.	1560-GCMS008C120S1-E1-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GCMS008C120S1-E1
Beschreibung	GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 189A (Tc) 536W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 12mOhm bei 100A, 18V
Herst. SemiQ	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 40mA
Serie QSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 506 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +22V, -8V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 14085 pF @ 1000 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 536W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Chassisbefestigung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 189A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 47

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 38,27000	€ 38,27
10	€ 28,64500	€ 286,45
100	€ 24,49840	€ 2.449,84

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.