Name: RY7P250BMTBC
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RY7P250BMTBCTR-ND
Price: 9.108 EUR
Availability: InStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RY7P250BMTBC
DigiKey-Teilenr.	846-RY7P250BMTBCTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RY7P250BMTBCCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RY7P250BMTBCDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RY7P250BMTBC
Beschreibung	NCH 100V 300A DFN8080-8S WIDE
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 250A (Ta), 300A (Tc) 340W (Tc) Oberflächenmontage DFN8080T8LSHAAI
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 240 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 15900 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 340W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 250A (Ta), 300A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten DFN8080T8LSHAAI
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,86mOhm bei 50A, 10V