Name: PSMN2R3-100SSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND
Price: 7.344 EUR
Availability: OutOfStock

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PSMN2R3-100SSEJ
DigiKey-Teilenr.	1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-PSMN2R3-100SSEJCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-PSMN2R3-100SSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PSMN2R3-100SSEJ
Beschreibung	APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 255A (Tc) 341W (Tc) Oberflächenmontage LFPAK88 (SOT1235)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	PSMN2R3-100SSEJ Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Herst. Nexperia USA Inc.	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 160 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 17200 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 341W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 255A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten LFPAK88 (SOT1235)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle SOT-1235
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,2mOhm bei 25A, 10V	Basis-Produktnummer PSMN2R3