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IPAW60R360P7SXKSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Parametrisches Äquivalent
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPAW60R360P7SXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPAW60R360P7SXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPAW60R360P7SXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 9A TO220 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 9 A (Tc) 22W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220 voller Pack |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 140µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 555 pF @ 400 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 22W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220 voller Pack |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 360mOhm bei 2,7A, 10V |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (5)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| AOTF11S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 149 | 785-1517-5-ND | € 3,17000 | Ähnlich |
| STFU18N65M2 | STMicroelectronics | 910 | 497-16306-5-ND | € 2,86000 | Ähnlich |
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| TK11A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 37 | TK11A65WS5X-ND | € 1,89000 | Ähnlich |
| IPAW60R360P7SXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 450 | 2156-IPAW60R360P7SXKSA1-ND | € 0,65441 | Parametrisches Äquivalent |
Obsolet
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