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N-Kanal 200 V 11,8 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
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FQPF19N20

DigiKey-Teilenr.
FQPF19N20-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FQPF19N20
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 11,8 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FQPF19N20 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1600 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
150mOhm bei 5,9A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (5)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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Obsolet
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