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FQI8N60CTU ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Parametrisches Äquivalent
Parametrisches Äquivalent
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
FQI8N60CTU | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FQI8N60CTU-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FQI8N60CTU |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 7,5 A (Tc) 3,13W (Ta), 147W (Tc) Durchkontaktierung TO-262 (I2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FQI8N60CTU Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 1,2Ohm bei 3,75A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 36 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1255 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 3,13W (Ta), 147W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-262 (I2PAK) | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Obsolet
Marktplatzoptionen: 36 810 Anzeigen
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