TPH3206LDGB Renesas Electronics Corporation | Einzelne FETs, MOSFETs

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TPH3206LDGB
DigiKey-Teilenr.	TPH3206LDGB-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TPH3206LDGB
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 16 A (Tc) 81W (Tc) Oberflächenmontage 3-PQFN (8x8)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,6V bei 500µA
Herst. Renesas Electronics Corporation	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±18V
Status der Komponente Obsolet	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 760 pF @ 480 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 81W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 16 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 3-PQFN (8x8)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 3-PowerDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 11A, 8V