Name: TP65H150G4LSG
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4LSG-ND
Price: 5.16 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TP65H150G4LSG
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H150G4LSG-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1707-TP65H150G4LSGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1707-TP65H150G4LSGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H150G4LSG
Beschreibung	GAN FET N-CH 650V PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 13 A (Tc) 52W (Tc) Oberflächenmontage 3-PQFN (8x8)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TP65H150G4LSG Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 500µA
Herst. Renesas Electronics Corporation	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 598 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 52W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 13 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 3-PQFN (8x8)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 3-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 8,5A, 10V	Basis-Produktnummer TP65H150