Name: TP65H150BG4JSG-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150BG4JSG-TR-ND
Price: 5.496 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 16 A (Tc) 83W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TP65H150BG4JSG-TR
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H150BG4JSG-TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1707-TP65H150BG4JSG-TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1707-TP65H150BG4JSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H150BG4JSG-TR
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 16 A (Tc) 83W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TP65H150BG4JSG-TR Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 10A, 6V
Herst. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) bei Id 2,8V bei 500µA
Serie SuperGaN®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 4.9 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±10V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 400 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 16 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-PQFN (5x6)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN