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N-Kanal 600 V 32 A (Ta) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
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RJK6020DPK-00#T0

DigiKey-Teilenr.
RJK6020DPK-00#T0-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
RJK6020DPK-00#T0
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 32A TO3P
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 32 A (Ta) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
RJK6020DPK-00#T0 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
175mOhm bei 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
121 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5150 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Verfügbar bis: 31.03.2026