Name: IXFQ50N60P3
Brand: IXYS
SKU: IXFQ50N60P3-ND
Price: 11.4 EUR
Availability: OutOfStock

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N-Kanal 600 V 50 A (Tc) 1040W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P

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IXFQ50N60P3
DigiKey-Teilenr.	IXFQ50N60P3-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFQ50N60P3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Standardlieferzeit des Herstellers	31 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 50 A (Tc) 1040W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar3™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	160mOhm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	94 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6300 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1040W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer	IXFQ50

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