Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich

NP80N06MLG-S18-AY | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | NP80N06MLG-S18-AY-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NP80N06MLG-S18-AY |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 60 V 80 A (Tc) 1,8W (Ta), 115W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | NP80N06MLG-S18-AY Modelle |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 128 nC @ 10 V |
Herst. | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Lose im Beutel | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6900 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 1,8W (Ta), 115W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur 175°C (TJ) |
Technologie | Klasse Automobiltechnik |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V | Qualifizierung AEC-Q101 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Montagetyp Durchkontaktierung |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,6mOhm bei 40A, 10V | Gehäuse / Hülle |
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| CSD18534KCS | Texas Instruments | 1 472 | 296-35012-ND | € 1,79000 | Ähnlich |
| IPP084N06L3GXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 30 364 | 2156-IPP084N06L3GXKSA1-ND | € 0,98587 | Ähnlich |
| IRF1010EZPBF | Infineon Technologies | 1 327 | IRF1010EZPBF-ND | € 1,95000 | Ähnlich |
| IRF1018EPBF | Infineon Technologies | 4 698 | IRF1018EPBF-ND | € 1,38000 | Ähnlich |
| IRF3205PBF | Infineon Technologies | 0 | IRF3205PBF-ND | € 1,99000 | Ähnlich |







