N-Kanal 60 V 79 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRF1018EPBF

DigiKey-Teilenr.
IRF1018EPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF1018EPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 79 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Herst.
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Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8,4mOhm bei 47A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2290 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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