Leistungstreibermodule MOSFET H-Brücke 650 V 26 A 16-SSIP mit freiliegendem Pad, geformte Zu
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NXV65HR82DS2

DigiKey-Teilenr.
488-NXV65HR82DS2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXV65HR82DS2
Beschreibung
MOSFET IPM 650V 26A 16-SSIP
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Leistungstreibermodule MOSFET H-Brücke 650 V 26 A 16-SSIP mit freiliegendem Pad, geformte Zu
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Typ
MOSFET
Konfiguration
H-Brücke
Strom
26 A
Spannung
650 V
Spannung - Isolation
5000Vrms
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
16-SSIP mit freiliegendem Pad, geformte Zu
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