
NXV65HR82DS2 | |
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DigiKey-Teilenr. | 488-NXV65HR82DS2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NXV65HR82DS2 |
Beschreibung | MOSFET IPM 650V 26A 16-SSIP |
Standardlieferzeit des Herstellers | 8 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | Leistungstreibermodule MOSFET H-Brücke 650 V 26 A 16-SSIP mit freiliegendem Pad, geformte Zu |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Hersteller | onsemi | |
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Typ | MOSFET | |
Konfiguration | H-Brücke | |
Strom | 26 A | |
Spannung | 650 V | |
Spannung - Isolation | 5000Vrms | |
Klasse | Automobiltechnik | |
Qualifizierung | AEC-Q101 | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäuse / Hülle | 16-SSIP mit freiliegendem Pad, geformte Zu |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 29,80000 | € 29,80 |
| 10 | € 24,20000 | € 242,00 |
| 72 | € 21,57917 | € 1.553,70 |
| 144 | € 20,95326 | € 3.017,27 |
| 288 | € 20,43823 | € 5.886,21 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 29,80000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 35,76000 |

