NXH600N65L4Q2F2SG onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NXH600N65L4Q2F2SG
DigiKey-Teilenr.	488-NXH600N65L4Q2F2SG-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NXH600N65L4Q2F2SG
Beschreibung	IGBT MOD 650V 483A 931W 41-PIM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Trench Feldstopp Dreistufiger Inverter 650 V 483 A 931 W Chassisbefestigung 41-PIM/Q2PACK (93x47)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Konfiguration	Dreistufiger Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	483 A
Leistung - Max.	931 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,2V bei 15V, 600A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	37.1 nF @ 20 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Ja
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	41-PIM/Q2PACK (93x47)
Basis-Produktnummer	NXH600

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