NXH50C120L2C2ESG onsemi | IGBT-Module

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Rochester Electronics, LLC

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NXH50C120L2C2ESG
DigiKey-Teilenr.	488-NXH50C120L2C2ESG-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NXH50C120L2C2ESG
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Dreiphasiger Umrichter mit Bremse 1200 V 50 A 20 mW Durchkontaktierung 26-DIP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module	Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 250 µA
Hersteller onsemi	Eingangskapazität (Cies) bei Vce 11.897 nF @ 20 V
Verpackung Stange	Eingang Dreiphasiger Brückengleichrichter
Status der Komponente Obsolet	NTC-Thermistor Ja
Konfiguration Dreiphasiger Umrichter mit Bremse	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50 A	Gehäuse / Hülle 26-poliges PowerDIP-Modul (1,199", 47,20mm)
Leistung - Max. 20 mW	Gehäusetyp vom Lieferanten 26-DIP
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic 2,4V bei 15V, 50A	Basis-Produktnummer NXH50

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
NXH50C120L2C2ES1G	Rochester Electronics, LLC	1 255	2156-NXH50C120L2C2ES1G-ND	€ 88,64333	Parametrisches Äquivalent

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