Name: NTH4L020N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L020N120SC1-ND
Price: 39.888 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 102 A (Tc) 510W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L

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NTH4L020N120SC1
DigiKey-Teilenr.	5556-NTH4L020N120SC1-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTH4L020N120SC1
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 102 A (Tc) 510W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,3V bei 20mA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 220 nC @ 20 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +25V, -15V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2943 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 510W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 102 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4L
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 28mOhm bei 60A, 20V	Basis-Produktnummer NTH4L020

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