Name: NTH4L040N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L040N120SC1-ND
Price: 24.168 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 58 A (Tc) 319W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTH4L040N120SC1
DigiKey-Teilenr.	5556-NTH4L040N120SC1-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTH4L040N120SC1
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 58 A (Tc) 319W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Category Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,3V bei 10mA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 106 nC @ 20 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +25V, -15V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1762 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 319W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 58 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4L
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 56mOhm bei 35A, 20V	Basis-Produktnummer NTH4L040

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30	€ 12,76900	€ 383,07
120	€ 11,15717	€ 1.338,86
510	€ 10,93598	€ 5.577,35

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