FQB50N06TM ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 555
Stückpreis : € 3,21000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 14 124
Stückpreis : € 1,75000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 12 903
Stückpreis : € 1,90000
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 947
Stückpreis : € 3,17000
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 3,17000
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 142
Stückpreis : € 4,16000
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 653
Stückpreis : € 2,49000
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 288
Stückpreis : € 3,67000
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 51
Stückpreis : € 3,67000
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 75
Stückpreis : € 3,26000
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 5 986
Stückpreis : € 1,85000
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,82934
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 1 000
Stückpreis : € 2,67000
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,73214
Datenblatt
N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 3,75W (Ta), 120W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 3,75W (Ta), 120W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
TO-263

FQB50N06TM

DigiKey-Teilenr.
FQB50N06TMFSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FQB50N06TM
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 3,75W (Ta), 120W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
22mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1540 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,75W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.