N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 190W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 190W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHFZ48S-GE3

DigiKey-Teilenr.
742-SIHFZ48S-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHFZ48S-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
91 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 190W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
18mOhm bei 43A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2400 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,7W (Ta), 190W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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