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FDI3632 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FDI3632FS-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FDI3632 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 12A/80A I2PAK |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 12 A (Ta), 80 A (Tc) 310W (Tc) Durchkontaktierung TO-262 (I2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 110 nC @ 10 V |
Herst. | Vgs (Max.) ±20V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6000 pF @ 25 V |
Verpackung Stange | Verlustleistung (max.) 310W (Tc) |
Status der Komponente Obsolet | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
FET-Typ | Klasse Automobiltechnik |
Technologie | Qualifizierung AEC-Q101 |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-262 (I2PAK) |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9mOhm bei 80A, 10V | Basis-Produktnummer |
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| AOB288L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOB288L-ND | € 0,83243 | Ähnlich |
| BUK969R3-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-1064-2-ND | € 1,10741 | Ähnlich |
| IPI076N12N3GAKSA1 | Infineon Technologies | 66 | IPI076N12N3GAKSA1-ND | € 3,29000 | Ähnlich |
| IPI086N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 28 | IPI086N10N3GXKSA1-ND | € 2,06000 | Ähnlich |
| SUM70090E-GE3 | Vishay Siliconix | 4 533 | SUM70090E-GE3CT-ND | € 2,17000 | Ähnlich |





