N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3
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N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3
TO-262-3
AUIRFSL6535

IPI086N10N3GXKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPI086N10N3GXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPI086N10N3GXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPI086N10N3GXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 75µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
55 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3980 pF @ 50 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO262-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8,6mOhm bei 73A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 28
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 2,06000€ 2,06
50€ 1,00120€ 50,06
100€ 0,89820€ 89,82
500€ 0,71728€ 358,64
1 000€ 0,65913€ 659,13
2 000€ 0,61024€ 1.220,48
5 000€ 0,55735€ 2.786,75
10 000€ 0,52970€ 5.297,00
Standardverpackung des Herstellers
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