



IPI086N10N3GXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPI086N10N3GXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPI086N10N3GXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 17 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPI086N10N3GXKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 75µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 55 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3980 pF @ 50 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 125W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO262-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,6mOhm bei 73A, 10V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 2,06000 | € 2,06 |
| 50 | € 1,00120 | € 50,06 |
| 100 | € 0,89820 | € 89,82 |
| 500 | € 0,71728 | € 358,64 |
| 1 000 | € 0,65913 | € 659,13 |
| 2 000 | € 0,61024 | € 1.220,48 |
| 5 000 | € 0,55735 | € 2.786,75 |
| 10 000 | € 0,52970 | € 5.297,00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 2,06000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,47200 |










