PSMN2R6-60PSQ Nexperia USA Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

PSMN2R6-60PSQ ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Vorrätig: 2 036

Stückpreis : € 3,58000

Ähnlich

Texas Instruments

Vorrätig: 703

Stückpreis : € 3,32000

Ähnlich

onsemi

Vorrätig: 1 531

Stückpreis : € 5,54000

Ähnlich

Toshiba Semiconductor and Storage

Vorrätig: 0

Stückpreis : € 3,39000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PSMN2R6-60PSQ
DigiKey-Teilenr.	1727-1057-ND
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PSMN2R6-60PSQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 150 A (Tc) 326W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	150 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,6mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7629 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	326W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	PSMN2R6