Name: TK100E06N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK100E06N1S1X-ND
Price: 4.068 EUR
Availability: OutOfStock

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N-Kanal 60 V 100 A (Ta) 255W (Tc) Durchkontaktierung TO-220

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TK100E06N1,S1X
DigiKey-Teilenr.	TK100E06N1S1X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK100E06N1,S1X
Beschreibung	MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 100 A (Ta) 255W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK100E06N1,S1X Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,3mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10500 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	255W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	TK100E06

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