Name: G3R350MT12J
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R350MT12J-ND
Price: 3.74806 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 1200 V 11 A (Tc) 75W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7

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G3R350MT12J
DigiKey-Teilenr.	1913-G3R350MT12J-ND
Hersteller	Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller-Teilenummer	G3R350MT12J
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 11 A (Tc) 75W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	G3R350MT12J Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,69V bei 2mA
Herst. Navitas Semiconductor, Inc.	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 12 nC @ 15 V
Serie G3R™	Vgs (Max.) ±15V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 334 pF @ 800 V
Status der Komponente Nur verfügbar bis	Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263-7
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V	Basis-Produktnummer G3R350
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 420mOhm bei 4A, 15V

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Verfügbar bis: 31.05.2026

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