Name: G3R350MT12J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R350MT12J-TR-ND
Price: 9.204 EUR
Availability: OutOfStock

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G3R350MT12J-TR
DigiKey-Teilenr.	1913-G3R350MT12J-TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1913-G3R350MT12J-TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1913-G3R350MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller-Teilenummer	G3R350MT12J-TR
Beschreibung	1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 10 A (Tc) 64W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 395mOhm bei 4A, 18V
Herst. Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (max.) bei Id 2,7V bei 2mA
Serie G3R™, LoRing™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 10 nC @ 15 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +22V, -10V
Status der Komponente Nur verfügbar bis	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 331 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 64W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263-7
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA