N-Kanal 1200 V 128 A (Tc) 542W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
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N-Kanal 1200 V 128 A (Tc) 542W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
TO-247-4

G3R20MT12K

DigiKey-Teilenr.
1913-G3R20MT12K-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
G3R20MT12K
Beschreibung
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 128 A (Tc) 542W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
G3R20MT12K Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
2,69V bei 15mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
219 nC @ 15 V
Serie
Vgs (Max.)
±15V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5873 pF @ 800 V
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
Verlustleistung (max.)
542W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
24mOhm bei 60A, 15V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
G3F18MT12KNavitas Semiconductor, Inc.2301913-G3F18MT12K-ND€ 27,26000Vom Hersteller empfohlen
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Verfügbar bis: 31.05.2026
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 38,02000€ 38,02
30€ 25,48633€ 764,59
120€ 24,29333€ 2.915,20
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