Name: G3R20MT17K
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R20MT17K-ND
Price: 118.476 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1700 V 124 A (Tc) 809W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4

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G3R20MT17K
DigiKey-Teilenr.	1913-G3R20MT17K-ND
Hersteller	Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller-Teilenummer	G3R20MT17K
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 124 A (Tc) 809W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	G3R20MT17K Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,7V bei 15mA
Herst. Navitas Semiconductor, Inc.	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 400 nC @ 15 V
Serie G3R™	Vgs (Max.) ±15V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10187 pF @ 1000 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 809W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1700 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 124 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V	Basis-Produktnummer G3R20
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 26mOhm bei 75A, 15V

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