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G2R1000MT33J ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Parametrisches Äquivalent
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
G2R1000MT33J | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1913-G2R1000MT33J-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | G2R1000MT33J |
Beschreibung | SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 3300 V 4 A (Tc) 74W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | G2R1000MT33J Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 2mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 21 nC @ 20 V |
Serie | Vgs (Max.) +20V, -5V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 238 pF @ 1000 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 74W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 3300 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263-7 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,2Ohm bei 2A, 20V |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| G2R1000MT33J-TR | Navitas Semiconductor, Inc. | 1 074 | 1913-G2R1000MT33J-TRCT-ND | € 21,60000 | Parametrisches Äquivalent |
Obsolet
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