Name: G2R1000MT33J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G2R1000MT33J-TR-ND
Price: 25.92 EUR
Availability: InStock

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G2R1000MT33J-TR
DigiKey-Teilenr.	1913-G2R1000MT33J-TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1913-G2R1000MT33J-TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1913-G2R1000MT33J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller-Teilenummer	G2R1000MT33J-TR
Beschreibung	3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 3300 V 5 A (Tc) 74W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,2Ohm bei 2A, 20V
Herst. Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 2mA
Serie LoRing™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 21 nC @ 20 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +20V, -5V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 238 pF @ 1000 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 74W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 3300 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263-7
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA