Name: G2R120MT33J
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G2R120MT33J-ND
Price: 93.76901 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 3300 V 35A Oberflächenmontage TO-263-7

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G2R120MT33J
DigiKey-Teilenr.	1913-G2R120MT33J-ND
Hersteller	Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller-Teilenummer	G2R120MT33J
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH TO263-7
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 3300 V 35A Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	G2R120MT33J Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 156mOhm bei 20A, 20V
Herst. Navitas Semiconductor, Inc.	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 145 nC @ 20 V
Serie G2R™	Vgs (Max.) +25V, -10V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3706 pF @ 1000 V
Status der Komponente Nur verfügbar bis	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Montagetyp Oberflächenmontage
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263-7
Drain-Source-Spannung (Vdss) 3300 V	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 35A	Basis-Produktnummer G2R120
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V

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Verfügbar bis: 31.05.2026

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