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N-Kanal 1000 V 9 A (Tc) 335W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 [B]
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

APT9M100B

DigiKey-Teilenr.
APT9M100B-ND
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
APT9M100B
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 9 A (Tc) 335W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 [B]
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Microchip Technology
Serie
POWER MOS 8™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,4Ohm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2605 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
335W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 [B]
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
APT9M100
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