IXFH7N90Q ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 344
Stückpreis : € 5,27000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 522
Stückpreis : € 5,93000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 72
Stückpreis : € 4,27000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 403
Stückpreis : € 4,57000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 613
Stückpreis : € 3,44000
Datenblatt
N-Kanal 900 V 7 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD (IXFH)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 900 V 7 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD (IXFH)
HiPerFET_TO-247-3

IXFH7N90Q

DigiKey-Teilenr.
IXFH7N90Q-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFH7N90Q
Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 7A TO247AD
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 900 V 7 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD (IXFH)
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,5Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 2,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2200 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AD (IXFH)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.
Nicht stornierbar / keine Rückgabe