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IXXN110N65C4H1
IXYS
Vorrätig: 322
Stückpreis : € 26,04000
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IGBT PT 650 V 190 A 830 W Chassisbefestigung SOT-227B
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IXYN120N65C3D1

DigiKey-Teilenr.
238-IXYN120N65C3D1-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXYN120N65C3D1
Beschreibung
IGBT PT 650V 190A SOT-227B
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT PT 650 V 190 A 830 W Chassisbefestigung SOT-227B
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
IXYS
Serie
GenX3™, XPT™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
IGBT-Typ
PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
190 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
620 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,8V bei 15V, 100A
Leistung - Max.
830 W
Schaltenergie
1,25mJ (Ein), 500µJ (Aus)
Eingangstyp
Standard
Gate-Ladung
265 nC
Td (on/off) bei 25°C
28ns/127ns
Testbedingung
400V, 50A, 2Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)
29 ns
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
SOT-227-4, miniBLOC
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-227B
Basis-Produktnummer
IXYN120
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