Name: IXFP10N60P
Brand: IXYS
SKU: IXFP10N60P-ND
Price: 2.1754 EUR
Availability: OutOfStock

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IXFP10N60P
DigiKey-Teilenr.	IXFP10N60P-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFP10N60P
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	740mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1610 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IXFP10

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