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AOT12N60FDL ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
AOT12N60FDL | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 785-AOT12N60FDL-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | AOT12N60FDL |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 278W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 50 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Obsolet | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2010 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 278W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 650mOhm bei 6A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Ersatzartikel (10)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP650N80Z | Rochester Electronics, LLC | 1 954 | 2156-FCP650N80Z-ND | € 1,44483 | Ähnlich |
| FCP850N80Z | onsemi | 571 | FCP850N80Z-ND | € 3,16000 | Ähnlich |
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| IRFB9N60APBF | Vishay Siliconix | 4 633 | IRFB9N60APBF-ND | € 3,26000 | Ähnlich |
| IXFP10N60P | IXYS | 0 | IXFP10N60P-ND | € 1,94873 | Ähnlich |
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