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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 1,27596
Datenblatt

Direkter Ersatz


Vishay Siliconix
Vorrätig: 5 079
Stückpreis : € 4,11000
Datenblatt

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Vorrätig: 6 564
Stückpreis : € 3,20000
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Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
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Vorrätig: 680
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Infineon Technologies
Vorrätig: 0
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Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 4,08000
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Infineon Technologies
Vorrätig: 11 253
Stückpreis : € 2,43000
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Rohm Semiconductor
Vorrätig: 265
Stückpreis : € 6,48000
Datenblatt

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Vishay Siliconix
Vorrätig: 255
Stückpreis : € 3,53000
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STMicroelectronics
Vorrätig: 639
Stückpreis : € 2,62000
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STMicroelectronics
Vorrätig: 8 213
Stückpreis : € 4,70000
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Vishay Siliconix
Vorrätig: 1 711
Stückpreis : € 5,03000
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Vishay Siliconix
Vorrätig: 4 098
Stückpreis : € 2,06000
Datenblatt
N-Kanal 100 V 130 A (Tc) 360W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA (IXFA)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFA130N10T

DigiKey-Teilenr.
IXFA130N10T-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFA130N10T
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 130 A (Tc) 360W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA (IXFA)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
9,1mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5080 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AA (IXFA)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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