Name: SUM110N10-09-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM110N10-09-E3TR-ND
Price: 6.384 EUR
Availability: InStock

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SUM110N10-09-E3
DigiKey-Teilenr.	SUM110N10-09-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SUM110N10-09-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SUM110N10-09-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SUM110N10-09-E3
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 110 A (Tc) 3,75W (Ta), 375W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 160 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6700 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,75W (Ta), 375W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 110 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer SUM110
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9,5mOhm bei 30A, 10V