SPB80N06S08ATMA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 1 518
Stückpreis : € 2,19000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 364
Stückpreis : € 2,44000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 263
Stückpreis : € 1,85000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 921
Stückpreis : € 2,41000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 2 275
Stückpreis : € 2,07000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 1 674
Stückpreis : € 2,24000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 400
Stückpreis : € 3,45000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 9 351
Stückpreis : € 1,81000
Datenblatt

Direkter Ersatz


STMicroelectronics
Vorrätig: 1 625
Stückpreis : € 2,99000
Datenblatt

Direkter Ersatz


STMicroelectronics
Vorrätig: 1 550
Stückpreis : € 3,38000
Datenblatt

Direkter Ersatz


STMicroelectronics
Vorrätig: 449
Stückpreis : € 2,76000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 2 085
Stückpreis : € 6,61000
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 11 662
Stückpreis : € 1,76000
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 160
Stückpreis : € 2,07000
Datenblatt
N-Kanal 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SPB80N06S08ATMA1

DigiKey-Teilenr.
448-SPB80N06S08ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SPB80N06S08ATMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7,7mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 240µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
187 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3660 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO263-3-2
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.