Name: IRF3205STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3205STRLPBFTR-ND
Price: 2.484 EUR
Availability: InStock

Benötigen Sie Hilfe?

Feedback

Über DigiKey Marktplatz Verkauf auf DigiKey.com Karriere Seitenübersicht Digitale Lösungen Newsroom

Hilfe und Unterstützung Status der Bestellung Versandtarife/Optionen Rücksendungen und Probleme bei der Bestellung Impressum

Chat (+43) 720 380 109 eu.support@digikey.com Co-Browse

IRF3205STRLPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF3205STRLPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF3205STRLPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF3205STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF3205STRLPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 55 V 110 A (Tc) 200W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF3205STRLPBF Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	110 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8mOhm bei 62A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	146 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3247 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	D2PAK
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IRF3205

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 2,07000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 2,48400

IRF3205STRLPBF