Name: IRFB3206PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB3206PBF-ND
Price: 3.324 EUR
Availability: OutOfStock

IRFB3206PBF
DigiKey-Teilenr.	448-IRFB3206PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFB3206PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFB3206PBF Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3mOhm bei 75A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 150µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6540 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRFB3206

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 2,77000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 3,32400

IRFB3206PBF