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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRF1010EPBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRF1010EPBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRF1010EPBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 60 V 84 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRF1010EPBF Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Nicht für Neukonstruktionen | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 12mOhm bei 50A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 130 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 3210 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 200W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 1 856
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 1,82000 | € 1,82 |
| 50 | € 0,88040 | € 44,02 |
| 100 | € 0,78880 | € 78,88 |
| 500 | € 0,62804 | € 314,02 |
| 1 000 | € 0,57634 | € 576,34 |
| 2 000 | € 0,53287 | € 1.065,74 |
| 5 000 | € 0,48828 | € 2.441,40 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 1,82000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,18400 |
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