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Datenblatt
N-Kanal 60 V 84 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF1010EPBF

DigiKey-Teilenr.
IRF1010EPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF1010EPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 84 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF1010EPBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3210 pF @ 25 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
12mOhm bei 50A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IRF1010EZPBFInfineon Technologies1 207IRF1010EZPBF-ND€ 24,45000Direkter Ersatz
IRF1018EPBFInfineon Technologies5 373IRF1018EPBF-ND€ 17,33000Ähnlich
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50€ 1,08680€ 54,34
100€ 0,97370€ 97,37
500€ 0,77530€ 387,65
1 000€ 0,71148€ 711,48
2 000€ 0,65780€ 1.315,60
5 000€ 0,59975€ 2.998,75
10 000€ 0,56390€ 5.639,00
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