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N-Kanal 30 V 87 A (Tc) 79W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
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IRF3709ZSPBF

DigiKey-Teilenr.
IRF3709ZSPBF-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRF3709ZSPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 87 A (Tc) 79W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
IRF3709ZSPBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
87 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,3mOhm bei 21A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,25V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2130 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
79W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
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