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N-Kanal 650 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
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IPP65R190C6XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP65R190C6XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP65R190C6XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP65R190C6XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 730µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
73 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1620 pF @ 100 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
151W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 7,3A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Ersatzartikel (7)
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